40 V, 60 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor EPC2014C
Prezzo unitario
€ 0,60950
€ 0,74359
40 V, 60 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor EPC2014C è disponibile per l'acquisto in incrementi di 2500
GaNFETs and ICs DemoBoards EPC EPC2014C
40 V, 60 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor EPC2014C
Produttore
EPC
Art.
498840007
Part. N.
EPC2014C
GaNFETs and ICs DemoBoards EPC EPC2014C
Panoramica del prodotto
GaNFETs and ICs DemoBoards EPC EPC2014C 40 V, 60 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor
Scheda tecnica
Articolo
498840007
Marca
EPC
Manufacturer Part Number
EPC2014C
Modello
EPC2014C
Product Name
40 V, 60 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor EPC2014C
Short Description
GaNFETs and ICs DemoBoards EPC EPC2014C
SKU
498840007
Datasheet
epc_epc2014c_498840007
Maximum Storage Temperature
150.00 °C
Temperatura Massima di esercizio
150.00 °C
Minimum Storage Temperature
-40.00 °C
Temperatura Minima di esercizio
-40.00 °C
Tipologia di montaggio
Surface Mount
Tempo medio consegna (giorni calendario)
112
Paese di provenienza
TW TWN TAIWAN
Codice TARIC
85412900
Unità di Misura di vendita
Pezzo
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