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80 V, 360 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor EPC2029

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Scheda tecnica
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Prezzo unitario € 4,60950 € 5,62359
80 V, 360 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor EPC2029 è disponibile per l'acquisto in incrementi di 500
GaNFETs and ICs DemoBoards EPC EPC2029
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80 V, 360 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor EPC2029

Produttore EPC
Art. 498840006
Part. N. EPC2029

GaNFETs and ICs DemoBoards EPC EPC2029

Panoramica del prodotto

GaNFETs and ICs DemoBoards EPC EPC2029 80 V, 360 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Documenti tecnici

Scheda tecnica 80 V, 360 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor EPC2029
Download 1

Scheda tecnica

Articolo 498840006
Marca EPC
Manufacturer Part Number EPC2029
Modello EPC2029
Product Name 80 V, 360 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor EPC2029
Short Description GaNFETs and ICs DemoBoards EPC EPC2029
SKU 498840006
Datasheet epc_epc2029_498840006
Maximum Storage Temperature 150.00 °C
Temperatura Massima di esercizio 150.00 °C
Minimum Storage Temperature -40.00 °C
Temperatura Minima di esercizio -40.00 °C
Tipologia di montaggio Surface Mount
Tempo medio consegna (giorni calendario) 112
Paese di provenienza TW TWN TAIWAN
Codice TARIC 85412900
Unità di Misura di vendita Pezzo

Additional services

Scheda tecnica 80 V, 360 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor EPC2029
Supporto post-vendita
Disponibilità di stock
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